삼성전자와 SK하이닉스가 14일부터 사흘간 열리는 반도체대전에서 차세대 인공지능(AI) 메모리 설루션을 공개한다. 양사는 지난해 선보인 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 넘어 HBM4E와 3차원(3D) 메모리, 고대역폭플래시(HBF) 등으로 기술 경쟁 무대를 넓힌다.
한국반도체산업협회는 14일부터 16일까지 서울 강남구 코엑스에서 “제28회 반도체대전(SEDEX 2026)”을 연다고 13일 밝혔다. 올해 행사는 “실리콘 지능의 시대로”를 주제로 내걸었으며, 300개 기업이 참가해 888개 부스를 채운다.
삼성전자는 “AI 시스템 설계(Architecting AI Systems)”를 주요 메시지로 정하고 HBM과 차세대 3D 메모리 기술을 내놓는다. 지난 2월 HBM4 양산 출하를 시작한 뒤 5월 글로벌 고객사에 HBM4E 샘플을 공급한 삼성전자는 이번 행사에서 개별 제품 외에 반도체 배치와 연결 방식까지 포괄하는 통합 설루션을 제시한다. 지난 8월 공개한 가속기 수직 적층 메모리 “zHBM”과 온디바이스 AI용 “zNAND-O” 등 3D 메모리 모형도 함께 다룬다.
SK하이닉스는 “멈추지 않고 나아가는 AI 여정(RUN)”을 주제로 부스를 꾸린다. 올해 2분기 HBM4 양산 공급에 들어간 SK하이닉스는 6월 고객사에 전달한 48기가바이트(GB) 용량의 HBM4E 12단 샘플과 함께 대용량 저장장치 기술인 HBF를 전면에 배치한다. HBF는 낸드플래시를 적층해 AI 추론용 데이터 공급을 돕는 기술로, SK하이닉스는 지난 8월 최대 512GB를 지원하는 첫 표준 규격을 발표했다.
개막 첫날인 14일에는 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 “AI 시대, 메모리 혁신의 방향을 묻다”를 주제로 기조강연을 진행한다.
